삼성·SK하이닉스보다 빨랐다…美 마이크론, HBM3E 양산 시작
... 24GB 용량을 구현한 것으로, D램 칩은 10나노급(1b), TSV(실리콘 관통 전극) 등의 기술로 적층했다는 설명이다. 마이크론은 “삼성전자(005930), SK하이닉스(000660)와 같은 경쟁사보다 자사 ...
- 2024-02-27
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... 24GB 용량을 구현한 것으로, D램 칩은 10나노급(1b), TSV(실리콘 관통 전극) 등의 기술로 적층했다는 설명이다. 마이크론은 “삼성전자(005930), SK하이닉스(000660)와 같은 경쟁사보다 자사 ...
... 금융위기 이후 15년 만에 10조 원 아래로 내려갔다. 주력 ... 분기보다 적자폭을 줄였고, D램은 1년 만에 흑자 전환하며 ... 개발한 현존 최대 용량 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 도입으로 ...
... 설명했다.앞서 이날 낮 12시10분께 영장실질심사를 마친 ... 독자적으로 개발한 20나노급 D램 기술 공정도 700여개를 중국 반도체 업체 ‘청두가오전’에 넘긴 혐의를 받고 있다 ...
... 부장판사는 16일 오전 10시30분 부정경쟁방지 및 ... 4년 삼성전자가 독자 개발한 20나노급 D램 기술 코드명 ‘볼츠만’을 중국의 반도체 업체 청두가오전에 넘긴 혐의를 받는다. A씨는 ...
... 4년 삼성전자가 독자 개발한 20나노급 D램 기술을 중국 반도체 업체 ... 수사하는 과정에서 18나노 D램의 기술도 중국에 유출된 ... 수사 중이다.경찰은 지난해 10월 컨설팅 업체 3곳과 ...
... 지난해 12월 세계 최초로 10나노급 2세대 D램을 양산 중이라고 발표했다. 초고속 초절전 초소형 회로 설계가 가능하고 생산량을 30% 늘릴 수 있는 공정이라고 한다. 삼성전자는 월드 ...
... 적기 개발과 양산에 주력하고 D램에서는 10나노급 선단 공정 전환 확대와 고용량 차별화 제품을 통해 시장 지배력을 강화할 전망이다. 파운드리 부문에서는 2018년 S3라인을 본격 ...
... 삼성전자 39.3%, 하이닉스 10.0%로 한국이 절반을 차지한 데 ... 992년 일본의 도시바를 제치고 D램 시장에서 1위를 차지한 이후 19 ... DDR3 생산을 위해 회로선폭 40나노급 공정을 본격 ...
... 투자도 시작했다. 올해 4분기(10~12월)에 경기 이천공장에 300mm ... 이른다. 내년 상반기에는 60나노급 기술을 적용한 1GB(기가바이트) D램 제품도 생산할 계획이다. 그렇다면 하이닉스는 ...